Obiettivo del tantalio

I target di tantalio possiedono caratteristiche quali elevata purezza, struttura densa e buona stabilità allo sputtering, esibendo prestazioni stabili in ambienti ad alto vuoto e plasma. I film sottili formati da target di tantalio mostrano forte adesione, buona uniformità ed elevata stabilità chimica, rendendoli ampiamente utilizzati nei campi di deposizione di film sottili come semiconduttori, circuiti integrati, pannelli di visualizzazione e rivestimenti ottici.

introduzione al prodotto

Il nostro obiettivo del tantalio

Dimensione	Diametro 50-400 mm X Spessore 3-28 mm
Grado	R05200 R05400 R05252 (Ta-2,5W) R05255 (Ta-10W)
Purezza	Maggiore o uguale al 99,95% (massimo 99,99%)
Ricristallizzare	Minimo 95%
Granulometria	Minimo 40um
Rugosità superficiale	Ra0.4 massimo
Planarità	0,1 mm o massimo 0,10%
Tolleranza	Diametro +/- 0,254 mm

Processo di produzione – Fusione sotto vuoto con fascio di elettroni

Adottiamo la fusione sotto vuoto a fascio di elettroni (EB) come processo di fusione del nucleo per i lingotti di tantalio.

Vantaggi del processo:

● L'ambiente di vuoto ultra-elevato riduce al minimo la contaminazione del gas

● Rimozione superiore di ossigeno, azoto, idrogeno e impurità metalliche

● Microstruttura e composizione chimica altamente uniformi

● Resistenza alla corrosione e durata di servizio migliorate

● Eccellente coerenza tra i lotti

Questo processo è particolarmente critico per le applicazioni che richiedono elevata purezza, stabilità a lungo-termine ed estrema resistenza alla corrosione.